AON6884L_002技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6884L_002 是一款采用先进沟槽技术的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的MOSFET于一个紧凑的封装内，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的开关性能。通过优化的单元结构和工艺，该芯片在提供高电流处理能力的同时，有效控制了寄生参数，为同步整流、电机驱动和电源转换等应用提供了可靠的半导体解决方案。

该器件的一个显著特性是其极低的导通电阻，在10A电流和10V栅极驱动电压条件下，其典型值仅为11.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在16nC（@4.5V），结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并提升工作频率。其漏源击穿电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）在特定条件下可达34A，提供了宽裕的设计余量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取产品技术支持和供货信息。

在电气参数方面，AON6884L_002的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.7V，这使其能够与多种逻辑电平控制器良好兼容。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。该器件采用表面贴装型的8-PowerSMD封装，这种扁平引线设计不仅优化了热性能，有助于散发最大21W的功率，也节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度板卡布局。

凭借其双通道集成、高效率与高功率密度的特点，此芯片广泛应用于需要多路开关或并联以降低阻抗的场合。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流模块、电动工具及无人机的电机控制H桥电路、以及各类负载开关和电源管理单元。其紧凑的封装和强大的性能使其成为空间受限且对效率有苛刻要求的现代电子系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6884L_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 40V 8DFN5X6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：34A（Tc）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1950pF @ 20V
• 功率-最大值：21W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6884L_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。