AON6922技术参数

AON6922是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的双N沟道功率MOSFET阵列，采用紧凑的8-DFN封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，构成一个半桥拓扑结构，专为需要高效率功率切换和紧凑布局的应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统能效。

该芯片具备逻辑电平门驱动特性，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1.7V，这意味着它可以直接由低至3.3V或5V的现代微控制器或数字信号处理器（DSP）的GPIO口高效驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，简化了系统设计。在10V V_GS条件下，其导通电阻典型值低至3.8毫欧（@20A），这一优异的性能指标确保了在导通状态下具有极低的功率耗散。同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为32nC（@10V），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的功耗。

在电气参数方面，AON6922的漏源击穿电压（V_DSS）为25V，适用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流（I_D）在25°C下分别可达18A和31A，具体数值取决于封装的热设计。器件采用表面贴装型8-WDFN封装，具有优异的热性能，最大功耗为2W至2.2W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关服务与资源。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用场景包括DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制（如无人机电调、小型风扇）、负载开关以及电池保护电路。在半桥或全桥拓扑中，它能有效管理功率流，提升电源系统的功率密度和瞬态响应能力，是便携式设备、计算平台和工业控制系统中的理想功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AON6922
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A，31A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2340pF @ 12.5V
• 功率-最大值：2W，2.2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-WDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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