AON6926技术参数

AON6926是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进PowerVDFN封装的双N沟道MOSFET阵列芯片。该器件集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，构成一个半桥配置的基础单元，其设计核心在于通过优化的芯片布局与封装技术，在紧凑的8-PowerVDFN封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。其内部两个MOSFET的源极独立，为设计半桥、同步整流或负载开关等拓扑提供了高度的灵活性和集成便利性。

该芯片的功能特性突出体现在其逻辑电平门驱动与低导通电阻的结合上。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（@20A），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC，有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，这对于提升电源转换器的功率密度至关重要。

在接口与关键参数方面，AON6926的每个MOSFET均能承受30V的漏源电压（Vdss），连续漏极电流（Id）在25°C下分别可达11A和12A，最大功耗为1.9W和2.1W，展现了强大的电流处理能力。其输入电容（Ciss）为1380pF，与低栅极电荷共同确保了快速的开关响应。器件采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品。

基于上述特性，AON6926非常适用于对空间和效率有严格要求的应用场景。它是同步降压转换器中理想的高侧和低侧开关选择，能够显著提升DC-DC转换器的效率。同时，它也广泛应用于电机驱动控制、电池保护电路、负载开关以及各类电源管理模块中。其紧凑的封装和卓越的性能使其成为空间受限的便携式设备、网络通信设备以及工业自动化系统中功率开关部分的优选解决方案。

• 制造商产品型号：AON6926
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A，12A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 15V
• 功率-最大值：1.9W，2.1W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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