AON7758_001技术参数

AON7758_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，集成于紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装内，具备优异的功率密度和热性能。其核心设计旨在通过优化的单元结构和沟道工艺，在低栅极电荷与低导通电阻之间实现卓越的平衡，从而提升开关效率并降低传导损耗。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为1.85毫欧。这一特性直接转化为更低的功率耗散和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC @ 10V，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器。器件支持高达30V的漏源电压（Vdss），并在不同结温下提供可观的连续漏极电流能力：在环境温度（Ta）25°C下为36A，在壳温（Tc）25°C下可达75A，展现了强大的电流处理潜力。

在电气接口与参数方面，AON7758_001的栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，确保了足够的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大为2V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器直接接口。输入电容（Ciss）最大值为5200pF @ 15V，结合低Qg特性，使其特别适合高频开关应用。器件的热设计考虑了高效散热，最大功率耗散在壳温（Tc）下可达34W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关服务。

凭借其高性能指标，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和功率转换级、电机驱动控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及其他需要高效率开关和紧凑布局的工业电源系统。其表面贴装形式也契合了现代电子产品小型化、高集成的设计趋势。

• 制造商产品型号：AON7758_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 36A/75A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），34W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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