AOD528技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS产品家族中的一员，AOD528是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，在硅片上集成了优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的紧凑性，适用于自动化贴装生产。

在电气性能方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为其在低压电源环境中的稳定运行提供了充足的裕量。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流的条件下，典型值仅为5.4毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在18nC（@10V），较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，并有利于实现更高的开关频率，减少开关损耗。

器件的电流承载能力根据散热条件不同而有所区别，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为17A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达50A，这突显了其优异的散热设计和高功率密度潜力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应严苛的工业环境要求，保证了应用的可靠性。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理进行采购与咨询。

基于上述特性，AOD528非常适用于需要高效率、高可靠性的中低功率开关应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源分配和负载开关。其出色的Rds(on)与Qg参数组合，使其在追求能效的现代电子设备中，如计算设备、通信模块和消费类电子产品中，成为功率路径管理的优选解决方案之一。

• 型号:AOD528
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A/50A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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