

AON6946技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
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AON6946技术参数详情说明:
AON6946是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计制造的高性能双N沟道功率MOSFET阵列,采用先进的沟槽技术工艺,集成在一个紧凑的8-PowerVDFN封装内。该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET,构成一个半桥拓扑的理想基础,其设计旨在提供优异的开关性能和功率密度,以满足现代高能效电源转换和电机驱动的苛刻要求。
该芯片的两个N沟道MOSFET均具备逻辑电平门极驱动特性,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V,这意味着它可以直接由3.3V或5V的微控制器或数字信号处理器(DSP)轻松驱动,无需复杂的电平转换电路,从而简化了系统设计并降低了整体成本。其极低的导通电阻(Rds(on))是关键优势之一,在10V栅极驱动电压和13A漏极电流条件下,最大值仅为11.6毫欧,这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率,尤其是在大电流工作状态下。
在动态性能方面,AON6946表现出色。其栅极电荷(Qg)在10V条件下最大值仅为15nC,输入电容(Ciss)在15V条件下最大值为485pF,这些低电荷参数确保了快速的开关速度和更低的开关损耗,这对于高频开关应用至关重要。器件支持高达30V的漏源电压(Vdss),每个MOSFET在25°C下的连续漏极电流(Id)分别可达14A和18A,最大功耗分别为3.5W和3.9W,提供了稳健的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和表面贴装封装形式,使其能够适应工业、汽车和消费电子等多种环境下的可靠运行。如需获取详细的技术支持或采购信息,可以联系官方授权的AOS代理商。
凭借其高集成度、高效率和高可靠性,AON6946非常适合用于空间受限且对能效要求高的应用场景。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电机驱动桥臂(如无人机电调、小型风扇/泵)、负载开关以及电池保护电路。其半桥配置为构建全桥或三相逆变器提供了便利的模块化基础,是工程师实现紧凑、高效功率解决方案的优选器件。
- 制造商产品型号:AON6946
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):14A,18A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.6 毫欧 @ 13A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):485pF @ 15V
- 功率-最大值:3.5W,3.9W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerVDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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