AON6974技术参数

作为一款采用先进功率半导体技术设计的双N沟道MOSFET阵列，AON6974集成了两个性能优异的逻辑电平MOSFET于一个紧凑的封装内。其核心架构基于AOS成熟的沟槽技术，旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。两个N通道以半桥形式配置，为同步整流、电机驱动和电源转换拓扑提供了高度集成的解决方案，有效减少了外部元件数量和PCB占板面积。

该器件具备多项突出的功能特点。其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为5.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。作为逻辑电平门器件，它能够被常见的3.3V或5V微控制器信号直接驱动，简化了栅极驱动电路设计。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了在苛刻环境下的可靠运行。

在电气参数与接口方面，AON6974的每个MOSFET通道具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。连续漏极电流（Id）能力根据散热条件不同，分别可达22A和30A，满足中等功率等级的需求。器件采用热增强型的8-PowerVDFN表面贴装封装，具有良好的散热性能，有助于在给定的3.6W和4.3W最大功耗下维持较低的工作温度。对于需要获取详细技术资料或样品支持的工程师，可以联系AOS中国代理以获取进一步的服务。

凭借其高集成度、高效率和高可靠性，这款芯片非常适合应用于对空间和能效有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：笔记本电脑和台式机的DC-DC同步整流降压转换器、负载点（POL）电源模块、电机驱动控制电路（如风扇、小型泵）、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类高密度功率解决方案提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON6974
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A，30A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• 功率-最大值：3.6W，4.3W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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