AON7230技术参数

AON7230是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装型封装内。该器件专为高效率、高功率密度应用而优化，其核心架构基于深槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，从而有效降低传导与开关损耗，提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在多种中压应用中的可靠性与安全裕度。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值可达47A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）表现优异，在10V栅源驱动电压（Vgs）和13A漏极电流条件下，最大值仅为11.5毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC @ 10V，结合2.5V @ 250A的较低栅极阈值电压（Vgs(th)），使得该MOSFET易于驱动，能够实现快速开关，减少开关过程中的损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AON7230设计有±20V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，提供了更宽的驱动电压选择范围与更强的抗干扰鲁棒性。其输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大值为2320pF，与低栅极电荷特性共同决定了其动态性能。器件的最大功率耗散为54W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取该产品及相关技术支持。

基于其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AON7230非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括但不限于：服务器及通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、工业电源模块、电机驱动控制电路以及各类电动工具和新能源领域的功率管理单元。其紧凑的DFN封装也有助于节省PCB空间，实现更小型化的终端产品设计。

• 型号:AON7230
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2320 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:54W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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