AON7292技术参数

AON7292是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司AlphaMOS产品系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装集成了裸露焊盘，不仅优化了空间利用率，更显著提升了散热性能，为高功率密度应用提供了可靠的物理基础。

该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压设计余量。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）下典型值仅为24毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为25nC，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，特别适合高频开关应用。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下即可实现优异的导通特性，并兼容高达±20V的栅源电压，增强了设计的灵活性和鲁棒性。

在电气参数方面，AON7292在25°C环境温度下可支持高达9A的连续漏极电流，而在借助封装良好散热（壳温Tc）的条件下，其电流能力可提升至23A，展现了强大的电流处理潜力。其最大结温高达150°C，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。功率耗散能力在壳温条件下可达28W，结合其优异的热性能封装，使其能够应对瞬态大电流冲击。如需获取官方技术支持和样品，可通过AOS授权代理渠道进行咨询与采购。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关和出色的热管理能力，该器件是各类电源转换和电机控制应用的理想选择。它广泛应用于DC-DC转换器（如同步整流、负载点转换）、电机驱动（如电动工具、无人机电调）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化中的功率开关电路。其表面贴装形式完美契合现代电子设备对小型化、高可靠性的普遍需求。

• 制造商产品型号：AON7292
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 9A/23A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1170pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7292现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。