AOWF380A60C技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS5系列的代表性产品之一，AOWF380A60C是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用TO-262F封装，这是一种通孔安装形式的封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在功率电路中实现可靠的电气连接和热管理。

在功能特性上，该芯片最突出的表现是其600V的高漏源电压（Vdss）额定值，这使其能够从容应对工业级应用中的高压应力环境。同时，在25°C结温下，其连续漏极电流（Id）可达11A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为380毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@10V），结合最大±20V的栅源电压（Vgs）范围，意味着它能够实现快速的开关切换，并易于被常见的栅极驱动器所驱动，有助于简化外围电路设计并降低开关损耗。

在接口与关键参数方面，AOWF380A60C的阈值电压Vgs(th)最大为3.8V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为955pF，是评估开关动态性能的重要参数。该器件的最大功率耗散为25W（基于壳温Tc），并且其结温（Tj）工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和耐用性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适合于要求高效率和高可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）系统以及工业照明中的电子镇流器等。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减少热量产生，并增强整个电源系统的功率密度与长期运行稳定性。

• 制造商产品型号：AOWF380A60C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tj）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：955pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF380A60C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。