AON6518技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）
技术参数：MOSFET N-CH 30V 48A/85A 8DFN
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AON6518技术参数详情说明：

AON6518是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8-DFN（5mm x 6mm）表面贴装封装内，实现了功率密度与散热能力的平衡。其核心设计旨在提供极低的导通损耗和优异的开关性能，这得益于优化的单元结构和沟道设计，能够在高电流下维持稳定的电气特性。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为1.75毫欧。这一特性直接转化为更高的系统效率和更低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在75nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使其在高频开关应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达85A，展现了强大的电流处理能力。

在电气参数方面，AON6518的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，标准逻辑电平驱动即可使其充分导通，而最大栅源电压（Vgs）支持±20V，提供了足够的噪声裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。功率耗散能力在壳温（Tc）条件下高达56W，配合DFN封装底部的散热焊盘，为热管理提供了有效途径。如需获取该产品的详细技术资料或采购支持，可以联系官方授权的AOS总代理。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET非常适合用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、锂离子电池保护电路以及各类负载开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能指标，对于理解同类高性能功率开关器件的选型与设计仍具有重要的参考价值。