AON7400B_101技术参数

AON7400B_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高密度PCB布局优化，其增强型散热片设计有效提升了热性能。其核心架构基于成熟的平面工艺，通过精密的沟槽设计和单元优化，在确保高可靠性的同时，实现了优异的电气特性平衡。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和18A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(On)）仅为7.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件的栅极驱动特性经过优化，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动；同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下为26nC，较低的Qg值有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电流处理能力方面，AON7400B_101在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为18A，而在管壳温度（Tc）条件下可达40A，展现了强大的功率承载潜力。其最大功率耗散在Tc条件下为24W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1440pF，与低Qg共同构成了快速的开关响应基础。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借其低导通电阻、高效率和高电流能力，该器件非常适合应用于对空间和能效有严格要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载开关、笔记本电脑的电源管理模块、电动工具的马达驱动控制，以及各类便携式电子设备中的电池保护与功率分配电路。其优异的电气和热性能使其成为中低压、高电流开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7400B_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1440pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7400B_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。