AOL1240技术参数

AOL1240是Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用UltraSO-8封装，在紧凑的占位面积内实现了卓越的功率密度与热性能平衡。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗，通过精密的单元结构和先进的工艺控制，显著降低了寄生参数，为高效率、高频率的功率转换应用提供了理想的半导体解决方案。

该MOSFET的关键特性在于其极低的导通电阻与出色的开关性能。在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在50.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的驱动鲁棒性。

在电气参数方面，AOL1240具备40V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见24V或更低电压总线应用中的充足裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为19A，而在封装壳温（Tc）下可高达69A，配合125W（Tc）的最大功耗能力，展现了强大的电流处理与散热潜力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，与标准逻辑电平驱动兼容，同时宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要本地技术支持与供应链支持的客户，可以联系AOS中国代理获取详细的产品资料与设计协助。

凭借上述特性，AOL1240非常适用于对效率和功率密度有严格要求的场景。其主要应用领域包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电动工具及无人机的电机驱动、高效率AC-DC适配器的次级侧整流，以及各类负载开关和电池管理电路。其表面贴装的UltraSO-8封装符合现代自动化生产要求，是实现紧凑型、高性能电源设计的优选功率器件。

• 制造商产品型号：AOL1240
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 19A/69A ULTRASO8
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），69A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3800pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：UltraSO-8
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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