AON7410_106技术参数

AON7410_106是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，集成了低导通电阻与快速开关特性，旨在为空间受限且对效率要求苛刻的现代电源和负载开关应用提供高性能解决方案。其设计核心在于优化了单元密度与栅极电荷之间的平衡，从而在保持出色热性能的同时，实现了较低的传导与开关损耗。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和8A漏极电流条件下，典型值低至20毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了系统整体效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了设计的灵活性。其栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下仅为12nC，结合660pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量小，有利于实现高速开关并降低驱动电路的负担。

在电流处理能力方面，AON7410_106在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为9.5A，而在管壳温度（Tc）25°C下可达24A，展现了其强大的电流承载潜力。其最大功耗在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达20W，配合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在严苛环境下的可靠性与长寿命。表面贴装型封装便于自动化生产，其裸露的焊盘（EP）设计优化了热传导路径，有助于将芯片产生的热量高效地散发到PCB上。

凭借这些特性，该器件非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。在笔记本电脑、移动电源、服务器电源和工业自动化设备中，它能有效提升功率密度和能效。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

• 制造商产品型号：AON7410_106
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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