AON7416_101技术参数

作为一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）开发的N沟道功率MOSFET，AON7416_101采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于优化的沟槽工艺设计，在紧凑的封装内集成了高性能的功率单元，确保了在导通状态下的低能量损耗和快速的开关响应。其内部结构经过精心优化，以平衡导通电阻、栅极电荷和体二极管特性，为高频率开关应用提供了坚实的基础。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的优势。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。最引人注目的特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为8.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在32nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，使得它在需要频繁开关的电路中表现优异。

器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。它采用表面贴装型的8-DFN-EP（3x3）封装，具有良好的散热性能和占板面积小的特点。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现优异的导通特性，阈值电压Vgs(th)最大值为1.7V，与常见的逻辑电平兼容性好。在热管理方面，器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流可达40A，最大功率耗散为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高性能参数，AON7416_101非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑的VRM（电压调节模块）中。此外，其在电机驱动、电池保护电路以及各类便携式电子设备的功率管理部分也能发挥重要作用，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍为后续产品提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AON7416_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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