AON6536技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率器件，AON6536是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而设计。其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡，从而在电源转换和电机控制等系统中有效降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。高达30V的漏源电压（Vdss）额定值使其适用于多种中低压应用环境。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于实现更高的开关频率并简化驱动电路设计，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。

在接口与参数方面，AON6536支持宽范围的栅极驱动电压，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为22A，而在管壳温度（Tc）下可达55A，展现了强大的电流处理能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备35.5W（Tc）的最大功率耗散能力，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品的详细信息与采购支持。

基于上述技术特点，AON6536非常适合于对效率和空间有严格要求的应用。其典型应用场景包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及负载开关。尤其是在服务器电源、通信设备电源模块和便携式电子设备的电源管理单元中，其低导通电阻和高开关速度的优势能够显著提升整体能效，减少热量产生，从而有助于设计出更紧凑、更可靠的终端产品。

• 型号:AON6536
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 22A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1210 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.5W（Ta），35.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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