AON7418_002技术参数

AON7418_002是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，并集成于紧凑的8-DFN-EP（3.3mm x 3.3mm）封装中，其底部带有裸露焊盘，有效提升了散热性能。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与快速的开关特性，通过优化的单元设计和工艺制程，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，达成了优异的电气性能平衡。

该MOSFET的关键性能体现在其极低的导通电阻上，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为1.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为65nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，尤其适合高频开关应用。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.2V @ 250A，确保了与主流逻辑电平驱动器的良好兼容性。

在电气参数方面，AON7418_002在25°C环境温度下可支持高达46A的连续漏极电流，在管壳温度条件下更可达到50A，展现了强大的电流处理能力。其输入电容（Ciss）为2994pF @ 15V，是评估开关动态性能的重要参数。器件采用表面贴装形式，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品、样品及详细的设计资料。

基于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，AON7418_002非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流与DC-DC转换器、电机驱动与控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及各类负载开关和电源分配系统。其紧凑的DFN封装也为空间受限的便携式电子设备提供了理想的功率开关解决方案。

• 型号:AON7418_002
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2994 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7418_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。