

AO3401技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SOT-23-3
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
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AO3401技术参数详情说明:
AO3401是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的Trench MOSFET工艺,通过在硅衬底上蚀刻沟槽并生长栅氧化层和栅极多晶硅形成垂直导电沟道,这种设计在有限的芯片面积内实现了优异的导通电阻与电流处理能力平衡。器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装,内部集成保护结构,确保了在-55°C至150°C结温范围内的稳定工作。
该器件具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达4A,能够满足多数中低功率开关与负载控制应用的需求。其导通电阻(Rds(on))表现优异,在10V栅源驱动电压(Vgs)和4A漏极电流条件下,典型值仅为50毫欧,这直接降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统整体效率。同时,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V,且标准驱动电压范围在2.5V至10V之间,这意味着它可以很好地兼容3.3V和5V逻辑电平,简化了驱动电路设计。
在动态参数方面,AO3401的栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值仅为14nC,输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为645pF,较低的栅极电荷和电容值有助于实现快速的开关切换,减少开关损耗,特别适用于频率较高的PWM控制场合。其最大栅源电压(Vgs)为±12V,提供了足够的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。
凭借其高电流能力、低导通电阻、逻辑电平兼容以及快速的开关性能,AO3401非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的功率路径控制、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关,以及电机驱动、LED调光等电路中的功率切换元件。其SOT-23-3封装也使其成为对PCB面积有严格要求的紧凑型设计的理想选择。
- 制造商产品型号:AO3401
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:不用於新
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 4A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14nC @ 10V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):645pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。













