AON7440技术参数

AON7440是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其结构优化了电荷平衡与电流通路，使得在紧凑的占位面积内能够处理高电流，同时保持良好的热性能，这得益于其底部裸露的散热焊盘（EP）设计，有效提升了从芯片结到印刷电路板的热传导效率。

该MOSFET的关键电气性能突出。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）额定值为28A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达50A，展现了其强大的电流处理能力。更值得关注的是其极低的导通电阻，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，Rds(on)最大值仅为2.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动特性也经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，栅极总电荷（Qg）在Vgs=10V时最大值为75nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，AON7440设计为表面贴装器件，便于自动化生产。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较宽的驱动安全裕量。器件的工作结温（Tj）范围宽广，为-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。其功率耗散能力在环境温度（Ta）下为4.2W，在管壳温度（Tc）下则可达42W，强调了良好散热设计的重要性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性，AON7440非常适合应用于对效率和空间有严格要求的功率转换领域。典型应用场景包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载点（POL）转换器中的次级侧同步整流管或初级侧开关。此外，它也适用于电机驱动、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的便携式设备或工业控制模块中。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON7440
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 28A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：75nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2820pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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