AOT2918L技术参数

AOT2918L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于工业标准的TO-220通孔封装中。该器件构建于优化的硅基之上，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，其核心设计聚焦于提升功率转换效率与开关性能，以满足中高功率密度应用的需求。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于常见的48V或更低电压总线系统。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值低至7毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC，结合3430pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

该MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达90A，这体现了其强大的峰值电流处理能力和散热潜力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。器件采用通孔TO-220封装，便于安装在散热器上，其最大功率耗散在管壳温度条件下可达267W，为热管理提供了坚实基础。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

综合其技术参数，AOT2918L非常适合应用于需要高效功率开关与控制的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。其平衡的性能参数使其成为对效率、热性能和成本均有要求的工业与消费电子产品的理想选择。

• 制造商产品型号：AOT2918L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3430pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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