AOT2918L技术参数

AOT2918L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于工业标准的TO-220通孔封装中。该器件构建于优化的硅基之上，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，其核心设计聚焦于提升功率转换效率与开关性能，以满足中高功率密度应用的需求。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于常见的48V或更低电压总线系统。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值低至7毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC，结合3430pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

该MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达90A，这体现了其强大的峰值电流处理能力和散热潜力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。器件采用通孔TO-220封装，便于安装在散热器上，其最大功率耗散在管壳温度条件下可达267W，为热管理提供了坚实基础。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

综合其技术参数，AOT2918L非常适合应用于需要高效功率开关与控制的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。其平衡的性能参数使其成为对效率、热性能和成本均有要求的工业与消费电子产品的理想选择。

• 型号:AOT2918L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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