

AON7458技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
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AON7458技术参数详情说明:
AON7458是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的平面MOSFET技术,封装于紧凑的8-DFN(3x3)表面贴装型封装中。其核心架构基于优化的单元设计,旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件在25°C环境温度(Ta)下连续漏极电流为1.5A,而在管壳温度(Tc)条件下可达5A,展现了良好的电流承载能力,其250V的漏源电压(Vdss)额定值使其能够稳定工作在高压离线或直流母线环境中。
该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通电阻特性上,在10V驱动电压、1.5A电流条件下,其导通电阻(Rds(On))最大值仅为560毫欧,这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在7.2nC(@10V),结合370pF(@25V)的输入电容(Ciss),意味着所需的驱动能量较小,有利于实现高速开关并降低栅极驱动电路的负担,这对于高频开关电源应用至关重要。其栅源电压(Vgs)可承受±30V,提供了较高的栅极耐压裕度。
在电气参数方面,AON7458的阈值电压Vgs(th)最大值为4.3V(@250A),确保了与标准逻辑电平或控制器良好的兼容性。其最大功率耗散在环境温度下为3.1W,在管壳温度下可达33W,结合其宽广的工作结温范围(-50°C ~ 150°C),赋予了器件在苛刻热环境下的可靠运行能力。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户,通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗与获得完整服务的有力保障。
凭借其高压、低导通电阻、快速开关以及出色的热性能,AON7458非常适合于需要高效功率转换和管理的应用场景。典型应用包括AC-DC开关电源(SMPS)中的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制、LED照明驱动以及各类工业电源中的高压侧开关。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的现代高密度电源设计的理想选择。
- 制造商产品型号:AON7458
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):250V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1.5A(Ta),5A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):560 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.2nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):370pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),33W(Tc)
- 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN(3x3)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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