AON6292技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AON6292采用了先进的沟槽栅技术，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术，通过优化的单元设计和封装工艺，在紧凑的8-DFN（5x6）封装内实现了优异的电流处理能力和热性能，为高功率密度应用提供了可靠的解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的电气参数上。其最大漏源电压（Vdss）为100V，能够满足多种中高压应用场景的需求。在电流承载能力方面，其在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达24A（Ta），而在管壳温度下更能高达85A（Tc），展现了强大的功率处理潜力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为6毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

在接口与动态参数方面，AON6292的栅极驱动设计兼顾了性能与易用性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.4V @ 250A，确保了与标准逻辑电平的良好兼容性。栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为63nC，结合3830pF @ 50V的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗。器件支持最大±20V的栅源电压，提供了足够的驱动裕量。其功率耗散能力在管壳温度下高达156W（Tc），配合表面贴装型封装，便于散热设计。如需获取官方技术支持与供货保障，可联系AOS总代理。

凭借100V的耐压、高电流能力、低导通电阻以及宽泛的-55°C ~ 150°C结温工作范围，AON6292非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其主要应用领域包括但不限于服务器和通信设备的DC-DC电源转换模块、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类工业电源中的同步整流和负载开关。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式设备或高密度电路板设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6292
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 24A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：63nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3830pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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