AON7538技术参数

AON7538是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）公司AlphaMOS产品系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装内，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。

其核心架构优化了沟道与封装设计，实现了极低的导通损耗。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至5.1毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC（在10V条件下），结合适中的输入电容，显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得器件在高频开关应用中也能保持出色的性能。

在电气参数方面，AON7538具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达30A，在环境温度（Ta）下为23A，展现出强大的电流处理能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.2V，与标准逻辑电平驱动兼容性好。此外，器件支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动鲁棒性，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗在壳温条件下可达24W。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高电流能力的组合，这款MOSFET非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它广泛应用于服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类负载开关中。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品，以确保获得正品器件和全面的设计支持。

• 型号:AON7538
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1128 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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