AON6980技术参数

AON6980是一款采用先进SRFET技术的高性能双N沟道MOSFET阵列，采用紧凑的8-PowerVDFN封装，专为高密度、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，构成一个优化的半桥拓扑单元，这种集成化设计不仅显著减少了PCB占板面积，还通过优化内部布局和互连，降低了寄生电感和电阻，从而提升了开关性能和系统可靠性。

该器件在电气性能上表现出色，其30V的漏源击穿电压（Vdss）为常见的12V或24V总线系统提供了充足的电压裕量，确保了稳健的过压保护能力。在导通特性方面，在10V Vgs、20A Id条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至6.8毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更高的效率和更低的温升。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，使其能够与标准3.3V或5V逻辑电平控制器无缝兼容，简化了驱动电路设计。

在动态开关性能上，AON6980同样进行了精心优化。在10V Vgs下，最大栅极总电荷（Qg）仅为22nC，配合15V Vds下最大输入电容（Ciss）为1095pF，共同构成了较低的栅极驱动需求，这意味着更快的开关速度、更低的开关损耗以及驱动电路功耗的减少。其连续漏极电流（Id）在25°C下分别可达18A和27A，最大功耗分别为3.5W和4.1W，结合其宽广的结温工作范围（-55°C至150°C），使其能够适应严苛的环境和持续的高负载工作条件。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

基于上述特性，该芯片非常适合应用于对空间和效率有苛刻要求的同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）中。其表面贴装型封装和高功率密度特性，使其成为现代笔记本电脑、服务器、通信设备、消费类电子产品和工业自动化系统中电源管理模块的理想选择，能够有效提升终端产品的整体能效和功率密度。

• 制造商产品型号：AON6980
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：有源
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A，27A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1095pF @ 15V
• 功率-最大值：3.5W，4.1W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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