AOT412技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列中的一员，AOT412是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物）工艺制造，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其TO-220封装形式提供了良好的散热路径，结合优化的内部芯片设计，确保了在宽温度范围内的稳定电气性能。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，能够承受较高的反向电压，适用于多种中压应用环境。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至15.8毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为54nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力，这对于高频开关电源设计尤为重要。

在接口与关键参数上，AOT412提供了灵活的驱动选项，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.8V，与标准逻辑电平兼容性好。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。该器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为8.2A，而在管壳温度（Tc）下则可高达60A，这突显了有效散热管理对于发挥其最大性能的重要性。其最大功耗在Tc条件下可达150W，工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，展现了其强大的功率处理能力和宽泛的工作温度适应性。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其100V的耐压、低导通电阻、快速开关特性以及TO-220封装带来的便利散热能力，AOT412非常适合于一系列中功率应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统中的功率开关、以及各类工业电源和逆变器。其稳健的设计使其能够在严苛的工业环境中可靠运行，是工程师在设计高效、紧凑型功率解决方案时的一个可靠选择。

• 型号:AOT412
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3220 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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