AOT412技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列中的一员，AOT412是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物）工艺制造，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其TO-220封装形式提供了良好的散热路径，结合优化的内部芯片设计，确保了在宽温度范围内的稳定电气性能。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，能够承受较高的反向电压，适用于多种中压应用环境。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至15.8毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为54nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力，这对于高频开关电源设计尤为重要。

在接口与关键参数上，AOT412提供了灵活的驱动选项，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.8V，与标准逻辑电平兼容性好。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。该器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为8.2A，而在管壳温度（Tc）下则可高达60A，这突显了有效散热管理对于发挥其最大性能的重要性。其最大功耗在Tc条件下可达150W，工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，展现了其强大的功率处理能力和宽泛的工作温度适应性。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其100V的耐压、低导通电阻、快速开关特性以及TO-220封装带来的便利散热能力，AOT412非常适合于一系列中功率应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统中的功率开关、以及各类工业电源和逆变器。其稳健的设计使其能够在严苛的工业环境中可靠运行，是工程师在设计高效、紧凑型功率解决方案时的一个可靠选择。

• 制造商产品型号：AOT412
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.2A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：54nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3220pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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