AON6758_102技术参数

AON6758_102是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其AlphaMOS产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，集成于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装内，旨在为空间受限的高功率密度应用提供高效的电源开关解决方案。

其核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，典型导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3.6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，器件集成了体肖特基二极管，为开关过程中的感性负载能量回馈提供了低损耗的续流路径，增强了电路的可靠性与鲁棒性。

在电气性能方面，AON6758_102具备30V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见12V或24V总线系统中的安全工作裕量。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）25°C下为27A，在管壳温度（Tc）25°C下可达32A，展现了强大的电流处理能力。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取相关技术支持和库存信息。

该MOSFET适用于多种需要高效率电源转换和功率管理的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载点（POL）转换器，笔记本电脑和台式机的CPU/GPU供电电路，以及各类电机驱动、电池保护模块和低压大电流开关。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够适应严苛的环境要求。需要注意的是，根据原始参数，该器件目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品或咨询制造商以获取最新产品信息。

• 制造商产品型号：AON6758_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6758_102现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。