AON7932技术参数

AON7932是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用紧凑型8-DFN封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平增强型MOSFET，采用半桥配置，为设计工程师提供了一个高度集成的功率开关解决方案，旨在优化空间受限应用中的布局和性能。

该芯片的核心在于其先进的沟槽MOSFET技术，该技术实现了极低的导通电阻（RDS(on)）。在VGS=10V、ID=6.6A的条件下，其最大导通电阻仅为20毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其逻辑电平门极驱动特性（VGS(th)最大值为2.4V）使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计并降低了BOM成本。

在动态性能方面，AON7932表现出色。其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.5nC，输入电容（Ciss）最大值为460pF，这些低电荷参数显著降低了开关过程中的栅极驱动损耗，支持更高频率的开关操作，从而允许使用更小的外围无源元件（如电感和电容）。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流（Id）在25°C下分别为6.6A和8.1A，最大功耗为1.4W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道获取产品与设计资源。

得益于其高效率、小尺寸和易于驱动的特性，该器件非常适合用于对空间和能效有严格要求的现代电子设备中。其典型应用场景包括DC-DC同步整流转换器（尤其是负载点POL转换器）、电机驱动控制电路、电池保护开关以及各类便携式设备中的电源管理模块。其表面贴装型封装也完全适应自动化大规模生产的需求。

• 制造商产品型号：AON7932
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A，8.1A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.5nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：460pF @ 15V
• 功率-最大值：1.4W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-WDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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