AONH36328技术参数详情说明：
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- 型号:AONH36328
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN-EP（3x3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13.8A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.8A（Ta），18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），23W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
- 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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