AONR32314技术参数

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，AONR32314采用了先进的沟槽栅技术，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物）半导体工艺，在紧凑的8-DFN（3x3）封装内集成了优化的单元结构，有效降低了寄生参数，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该芯片在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达17A（环境温度Ta）或30A（壳温Tc）的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻（Rds(On)），在10V栅极驱动电压、17A漏极电流条件下，最大值仅为8.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.25V，配合最大±20V的栅源电压范围，确保了与多种驱动电路的兼容性和应用的灵活性。

在动态性能方面，AONR32314具有较低的栅极电荷（Qg，最大值32nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值1420pF @ 15V），这有助于减少开关过程中的损耗，提升开关频率，使得它特别适用于高频开关应用。其最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达24W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，赋予了器件出色的热管理和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS总代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其优异的电气与热性能参数，AONR32314非常适合部署在要求高效率和高功率密度的场景中。其主要应用领域包括但不限于同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制以及各类电源管理模块。其表面贴装型封装也符合现代电子设备小型化、高集成度的设计趋势，是工程师实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AONR32314
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.7 毫欧 @ 17A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.25V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1420pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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