AONS36348技术参数

AONS36348是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，适用于高密度、高可靠性的现代电子系统设计。

其核心架构优化了功率密度与开关性能的平衡。该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度（Ta）下可提供高达24A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，这一电流能力更可提升至50A，展现了其强大的电流处理潜力。极低的导通电阻是其关键特性之一，在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

在功能表现上，该器件具备优异的开关特性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，而驱动电压范围宽至4.5V至10V，确保了在低压逻辑电平下的高效驱动与完全导通。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是另一大亮点，在10V Vgs下，最大栅极电荷仅为20nC，在15V Vds下，最大输入电容为800pF。这些参数共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使得AONS36348非常适合于高频开关应用，能够提升电源转换器的频率和动态响应。

从接口与电气参数来看，其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。功率耗散能力方面，在环境温度下为6.2W，在管壳温度下可达26W，结合其低热阻的DFN封装，有利于热量从芯片向PCB的快速传导，从而支持更高的持续功率处理能力。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

基于其高性能参数组合，AONS36348非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。其主要应用方向包括但不限于：服务器及数据中心的高效DC-DC同步整流和负载点（POL）转换器、笔记本电脑和台式机的CPU/GPU供电电路、高功率密度LED照明驱动、以及各类便携式设备中的电池保护与电源管理模块。其出色的开关性能和导通特性，使其成为提升现代开关电源效率和功率密度的理想选择。

• 制造商产品型号：AONS36348
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 24A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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