AON6576技术参数

AON6576是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的半导体工艺实现了极低的栅极电荷和输入电容，这对于提升开关频率、降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.7毫欧（在20A条件下），这一极低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合最大仅27nC的栅极总电荷（Qg），意味着器件所需的驱动能量小，能够被标准逻辑电平轻松、快速地驱动，从而简化了栅极驱动电路的设计并进一步优化了开关性能。

在接口与参数方面，AON6576提供了强大的电流处理能力和宽泛的工作温度范围。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达26A；当结温（Tc）作为参考时，该值可提升至32A，展现了其卓越的散热潜力。其最大功率耗散在壳温条件下可达26W，结合-55°C至150°C的结温工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购支持。

基于上述技术特点，AON6576非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、笔记本电脑的CPU/GPU供电电路、各类电动工具和无人机的电机驱动控制模块，以及高效率的LED照明驱动电源。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效，减少热量产生，而紧凑的封装则有利于实现更小体积的终端产品设计。

• 制造商产品型号：AON6576
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1320pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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