AONS660A70F技术参数

AONS660A70F是一款基于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）先进aMOS5技术平台开发的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了表面贴装，其核心设计旨在通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在高压、高开关频率的应用中提供卓越的效率和可靠性。其架构显著降低了导通电阻和栅极电荷，这对于提升系统整体能效和降低开关损耗至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其700V的高漏源电压（Vdss）额定值，这使其能够从容应对工业电源、电机驱动及照明系统中常见的电压应力和浪涌。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为660毫欧（@2.5A），这直接转化为更低的传导损耗和发热。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至14.5nC（@10V），结合900pF（@100V）的输入电容，意味着栅极驱动需求简单，开关速度更快，有助于简化驱动电路设计并提升高频性能。

在电气参数上，AONS660A70F提供了灵活的电流承载能力，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流为1.7A，而在借助封装底部散热片（Tc）的条件下可高达9.6A，最大功率耗散相应达到138W（Tc）。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，而阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（@250A），确保了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于苛刻的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性组合，此器件是开关电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业逆变器等应用的理想选择。其高效的性能有助于提升终端产品的功率密度和能效等级，满足现代电子设备对小型化、高效化的持续需求。

• 制造商产品型号：AONS660A70F
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.7A（Ta），9.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：660 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AONS660A70F现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。