AON6372技术参数

AON6372是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构基于优化的单元结构，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而在开关应用中减少传导损耗和开关损耗，提升整体系统能效。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至7.2毫欧（在20A条件下），这一特性使其能够高效处理大电流，同时将功率耗散降至最低。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.2V，结合最大栅极电荷仅为12.8nC（在10V条件下），意味着器件具备快速开关能力和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。此外，其输入电容（C_iss）在15V下最大为830pF，有助于进一步优化开关速度并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，AON6372的漏源击穿电压（V_{DSS）为30V，在壳温（TC）条件下连续漏极电流（ID）额定值高达47A，最大允许栅源电压（VGS）为±20V，提供了宽裕的设计余量。其最大功率耗散能力为26W（TC），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关服务与产品信息。}

凭借其优异的低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，AON6372主要面向空间受限且对效率要求极高的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、负载开关以及各类便携式设备中的电源管理模块。其设计平衡了性能、尺寸与成本，是工程师在构建高效功率转换系统时的一个可靠选择。

• 型号:AON6372
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 47A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:26W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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