AONV070V65G1技术参数详情说明：
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- 型号:AONV070V65G1
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GAN
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 6A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:203 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN（8x8）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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