AOT482L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS产品系列的一员，AOT482L是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，以其坚固的物理结构和出色的散热能力，为工程师在功率转换和电机控制等应用中提供了高可靠性的解决方案。其核心架构基于先进的平面工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。

在电气性能方面，80V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车电子中常见的48V或以下电压平台，提供充足的设计余量。其导通电阻表现尤为突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为7.2毫欧，这意味着在导通状态下由器件本身产生的功耗极低，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作。

该器件的驱动特性设计兼顾了易用性与性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了与主流控制器和驱动IC的良好兼容性。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达105A，展现出强大的峰值电流处理能力，非常适合处理电机启动、电感负载切换等瞬态大电流场景。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方AOS代理渠道获取详尽的技术资料和供货信息。

综合其参数特性，AOT482L主要面向对效率和可靠性有较高要求的应用领域。例如，在DC-DC转换器中，它可作为同步整流或主开关管，其低Rds(on)特性直接贡献于更高的转换效率。在电机驱动领域，无论是无刷直流（BLDC）电机还是步进电机驱动器，其高电流能力和快速开关特性都能有效提升驱动性能并降低温升。此外，在各类电源、逆变器以及电子负载开关中，它也是一款值得考虑的功率开关选择。

• 制造商产品型号：AOT482L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：81nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4870pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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