AOT10T60PL技术参数

AOT10T60PL是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中，为高电压开关应用提供了一个可靠的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，这对于提升系统效率至关重要。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的稳定工作能力。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，结合低至700毫欧（@5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动特性也经过优化，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，有助于简化驱动电路设计。

在动态性能方面，AOT10T60PL在10V驱动电压下的栅极总电荷（Qg）典型值为40nC，这一参数对于评估开关速度和驱动损耗具有重要意义。同时，其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为1595pF。这些参数共同决定了器件在高速开关应用中的表现，用户需要根据具体的开关频率和驱动能力进行综合考量。该器件的最大功耗在壳温条件下为208W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了宽泛的温度适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品技术资料与供货信息。

凭借其600V/10A的规格与TO-220的经典封装形式，AOT10T60PL非常适用于各类中高功率的开关电源设计，例如服务器电源、工业电源、UPS（不间断电源）以及电机驱动控制中的功率开关部分。其稳健的性能参数使其成为工程师在构建高效、可靠功率转换系统时的一个经典选择。

• 制造商产品型号：AOT10T60PL
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1595pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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