AON7400技术参数

AON7400是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构基于优化的单元密度和低阻抗金属化工艺，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至12.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极驱动要求适中，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而最大栅极电荷（Qg）仅为28nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于实现更高的开关频率和更快的开关速度，同时降低驱动IC的负担。

在接口与参数层面，AON7400提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在苛刻环境下的可靠性。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为10A，而在管壳温度（Tc）下则可高达26A，这为散热设计提供了灵活性。其低输入电容（Ciss）和栅极电荷的组合，使其特别适合高频开关应用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其优异的性能参数，AON7400非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、笔记本电脑和台式机的CPU/GPU供电（VRM）、各类便携式设备的电源管理模块，以及低压电机驱动和电池保护电路。其紧凑的DFN封装和高功率密度特性，使其成为现代高集成度电子设备中功率路径管理的理想选择。

• 型号:AON7400
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/26A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1452 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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