AON7400技术参数

AON7400是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构基于优化的单元密度和低阻抗金属化工艺，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至12.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极驱动要求适中，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而最大栅极电荷（Qg）仅为28nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于实现更高的开关频率和更快的开关速度，同时降低驱动IC的负担。

在接口与参数层面，AON7400提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在苛刻环境下的可靠性。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为10A，而在管壳温度（Tc）下则可高达26A，这为散热设计提供了灵活性。其低输入电容（Ciss）和栅极电荷的组合，使其特别适合高频开关应用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其优异的性能参数，AON7400非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、笔记本电脑和台式机的CPU/GPU供电（VRM）、各类便携式设备的电源管理模块，以及低压电机驱动和电池保护电路。其紧凑的DFN封装和高功率密度特性，使其成为现代高集成度电子设备中功率路径管理的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7400
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 10A/26A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1452pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7400现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。