AOT20C60技术参数

AOT20C60是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，为高压开关应用提供了一个可靠的单管解决方案。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够有效应对工业级应用中的高压应力和电压尖峰。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为20A，结合463W的最大功率耗散能力，显示出强大的电流处理与散热性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态特性方面，AOT20C60的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现较快的开关速度，同时保持可控的开关损耗与电磁干扰（EMI）水平。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。器件采用通孔TO-220封装，便于安装在散热器上，以满足高功率耗散下的热管理需求，其工作结温范围为-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。

这款MOSFET适用于需要高压、中大电流开关功能的各类功率转换与电机控制场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过官方授权的AOS代理商获取详细的技术支持与供货信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 制造商产品型号：AOT20C60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：74nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3440pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：463W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT20C60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。