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AOT2500L技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
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AOT2500L技术参数详情说明:

AOT2500L是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用成熟的TO-220通孔封装,专为高效能、高可靠性的功率开关应用而设计。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建,其核心优势在于实现了极低的导通电阻(Rds(on))与出色的开关性能之间的卓越平衡。在10V驱动电压下,其最大导通电阻仅为6.5毫欧(@20A),这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率,尤其在高电流工作条件下优势显著。

在电气性能方面,该器件具备150V的漏源击穿电压(Vdss),提供了充足的电压裕量以应对线路中的电压尖峰,增强了系统的鲁棒性。其连续漏极电流能力在环境温度(Ta)25°C下为11.5A,而在借助散热器将管壳温度(Tc)控制在25°C时,电流能力可高达152A,展现了强大的电流处理与散热潜力。配合较低的栅极电荷(Qg,最大值136nC @10V)和输入电容(Ciss),使得AOT2500L在高速开关应用中能够实现快速的导通与关断,有效降低开关损耗,并减轻栅极驱动的负担。

该MOSFET的栅源驱动电压(Vgs)范围宽达±20V,阈值电压(Vgs(th))典型值适中,确保了与常见控制IC的良好兼容性和驱动的便利性。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C,最大功率耗散在管壳温度(Tc)条件下可达375W,结合TO-220封装优异的导热路径,使其能够适应严苛的热环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品与相关服务。

综合其参数特性,AOT2500L非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)系统中的功率开关模块。其稳健的性能和宽泛的工作温度范围,也使其成为工业自动化、通信基站电源等对可靠性有严格要求的领域中的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOT2500L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):150V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):11.5A(Ta),152A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):136nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6460pF @ 75V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),375W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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