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AOT284L技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220
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AOT284L技术参数详情说明:

AOT284L是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用TO-220封装、面向中高功率应用的N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建,其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的卓越平衡,为开关电源、电机驱动等应用提供了高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻(Rds(on))性能,在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下,其最大值仅为4.5毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗,显著提升了系统的整体能效。同时,器件具备80V的漏源击穿电压(Vdss),提供了充足的电压裕量,增强了系统在瞬态电压下的可靠性。其电流处理能力同样出色,在壳温(Tc)条件下连续漏极电流高达105A,而在环境温度(Ta)下为16A,展现出强大的功率承载潜力。

在开关动态特性方面,AOT284L在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为100nC,结合其阈值电压(Vgs(th))最大值为3.3V,有助于实现快速、干净的开关切换,并简化栅极驱动电路的设计。其输入电容(Ciss)在40V Vds下最大值为5154pF,设计时需结合栅极电荷参数综合考量驱动需求。器件采用标准的TO-220通孔封装,便于安装散热器,其最大结温(TJ)高达175°C,在壳温(Tc)条件下的最大功率耗散可达250W,确保了在严苛热环境下的稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理渠道获取产品与相关服务。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻以及宽工作温度范围(-55°C至175°C)等综合优势,AOT284L非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的领域。典型应用场景包括工业级开关电源(SMPS)的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制器(如电动工具、风扇)、不间断电源(UPS)系统以及各类功率开关和负载切换电路。其稳健的性能和TO-220封装的通用性,使其成为工程师在设计中实现高效功率管理的优选器件。

  • 制造商产品型号:AOT284L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):16A(Ta),105A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):100nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5154pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),250W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOT284L现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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