AOT418L_001技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列的一员，AOT418L_001是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高电压下的高效开关与功率处理能力。其结构优化了沟道电阻与栅极电容，在保证高耐压的同时，致力于降低导通损耗与开关损耗，为功率转换应用提供了一个可靠的基础元件。

该芯片在电气性能上表现出显著优势。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在高压环境下的稳定工作。导通电阻（Rds(on)）是关键指标，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，其最大值仅为10毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC @ 10V，较低的Qg值有利于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并降低对驱动电路的要求。

在接口与封装方面，AOT418L_001采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流为9.5A，而在管壳温度（Tc）25°C下则可高达105A，这突显了良好散热设计对于释放器件全部性能潜力的重要性。其栅源驱动电压（Vgs）范围为±25V，标准驱动电压为10V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，具有较好的噪声抑制能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，适应严苛的工作环境。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，AOT418L_001非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括开关电源（SMPS）中的初级侧或次级侧整流与同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类逆变器电路。对于需要稳定供货与技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或咨询制造商以获取最新产品信息。

• 制造商产品型号：AOT418L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：83nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT418L_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。