AOT360A70L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT360A70L 是一款采用先进 aMOS5 技术平台的高压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用成熟的 TO-220 通孔封装，专为在严苛环境下实现高可靠性和高效率而设计。其核心优势在于通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在高达 700V 的漏源电压 (Vdss) 下，实现了导通电阻 (Rds(on)) 与栅极电荷 (Qg) 之间的卓越平衡，这对于降低开关损耗和提升整体系统能效至关重要。

该 MOSFET 在 10V 栅极驱动电压下，导通电阻典型值仅为 360 毫欧（测试条件为 6A），这确保了在 12A 连续漏极电流 (Tc) 下工作时，具有较低的导通损耗。同时，其最大栅极电荷 (Qg) 被控制在 22.5nC，结合 1360pF 的输入电容，意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关过程中的能量损失。其栅源电压 (Vgs) 耐受范围达 ±20V，提供了良好的抗干扰能力和设计裕度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理商 获取原厂正品和技术支持。

在电气参数方面，AOT360A70L 展现了全面的稳健性。其阈值电压 Vgs(th) 最大值为 4V，有助于防止因噪声引起的误开启。器件在管壳温度 (Tc) 下的最大功率耗散能力为 156W，结合 -55°C 至 150°C 的宽结温 (TJ) 工作范围，使其能够适应高温、高功率密度的应用环境。TO-220 封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于通过散热器进行高效的热管理，确保器件在满载条件下长期稳定运行。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，这款 MOSFET 非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式电源转换场合。典型应用包括开关模式电源 (SMPS) 的功率因数校正 (PFC) 电路、反激式或半桥/全桥拓扑中的主开关、工业电机驱动、不间断电源 (UPS) 以及高效照明（如 LED 驱动）的功率级。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度，降低温升，并满足日益严格的能效标准。

• 制造商产品型号：AOT360A70L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 12A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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