AOT3N50技术参数

AOT3N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220封装，为通孔安装提供了便利。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理能力。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了宽裕的安全裕度，而3A的连续漏极电流（Id）规格则确保了其在中小功率应用中的稳定载流能力。

该器件的一个显著特性是其平衡的性能参数组合。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值经过优化，有助于实现快速的开关转换并降低驱动电路的负担，这对于开关电源等高频应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较强的栅极可靠性。器件的结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境温度条件。

在接口与关键参数方面，74W（Tc）的最大功率耗散能力结合TO-220封装良好的散热特性，使其能够处理可观的瞬态和平均功率。其阈值电压（Vgs(th)）最大值适中，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性。用户可通过官方AOS代理获取详细的技术资料与支持。这些参数共同定义了一个适用于离线式开关模式电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动以及照明镇流器等领域的功率开关解决方案。

综合来看，AOT3N50凭借其500V的耐压、3A的电流能力以及优化的开关特性，主要面向需要高压隔离和高效开关的中等功率应用场景。它在反激式转换器、辅助电源以及工业控制系统的功率接口部分都能找到其用武之地，为工程师提供了一个在性能、可靠性与成本之间取得平衡的经典选择。

• 制造商产品型号：AOT3N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：74W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOT3N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。