AOWF11N70技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-
技术参数：MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AOWF11N70技术参数详情说明：

AOWF11N70是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高压阻断与低导通损耗之间的优异平衡。其内部结构经过优化，通过精细的单元设计和工艺控制，在确保700V高漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效控制了芯片的比导通电阻。

该MOSFET的显著特性在于其出色的高电压与高电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达11A，最大功率耗散为28W。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统动态性能更佳。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，AOWF11N70的漏源击穿电压高达700V，为其在离线式电源应用中应对电压尖峰提供了可靠保障。其阈值电压Vgs(th)典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，能够适应苛刻的环境要求。通孔安装的TO-262F封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借其高压、高效和坚固的特性，这款MOSFET非常适用于需要高可靠性和高效率的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制、UPS（不间断电源）系统以及照明应用的电子镇流器。在这些场景中，它能够有效承担功率开关的核心角色，帮助整机系统提升能效等级并缩小体积。