AOT474_002技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOT474_002采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于成熟的平面工艺，旨在实现高效率的功率转换与开关控制。该器件在75V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在降低传导损耗的同时，也有效控制了开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET在25°C环境温度（Ta）下可提供9A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其电流承载能力可高达127A，展现了出色的热性能与电流处理潜力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，Rds(On)最大值仅为11.3毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC @ 10V，结合3370pF @ 30V的输入电容（Ciss），意味着它能够实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，AOT474_002采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的安全工作范围。器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达417W，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的中功率应用场景。典型的应用领域包括开关电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类工业电源管理系统。其稳健的设计使其能够有效处理频繁的开关操作和较高的瞬态电流，是工程师在构建紧凑、高效功率解决方案时的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOT474_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 9A/127A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），127A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3370pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），417W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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