AOT414技术参数

AOT414是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的SDMOS产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的优异平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为开关应用提供了充足的电压裕量，确保在诸如电机驱动、电源转换等存在电压尖峰的环境中稳定工作。

在电气特性方面，25°C时连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达43A，展现出强大的电流处理能力，而在环境温度（Ta）下为5.6A，这为不同散热条件下的设计提供了清晰的参考。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）、20A电流下典型值仅为25毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，结合±25V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着该器件具备快速的开关速度和良好的栅极驱动鲁棒性，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与可靠性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2200pF，属于中等水平，需在高速开关应用中予以考虑。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），最大功率耗散在壳温条件下高达115W，这要求在实际应用中配合适当的散热方案，例如通过AOS中国代理获取官方推荐的热设计指南，以充分发挥其性能潜力。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及TO-220封装带来的便利散热特性，AOT414非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机控制驱动器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源中的开关和续流功能。尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有系统和成本敏感型设计中，它依然是一个经过市场验证的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOT414
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），115W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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