AOT414技术参数

AOT414是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的SDMOS产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的优异平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为开关应用提供了充足的电压裕量，确保在诸如电机驱动、电源转换等存在电压尖峰的环境中稳定工作。

在电气特性方面，25°C时连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达43A，展现出强大的电流处理能力，而在环境温度（Ta）下为5.6A，这为不同散热条件下的设计提供了清晰的参考。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）、20A电流下典型值仅为25毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，结合±25V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着该器件具备快速的开关速度和良好的栅极驱动鲁棒性，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与可靠性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在50V Vds下最大值为2200pF，属于中等水平，需在高速开关应用中予以考虑。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），最大功率耗散在壳温条件下高达115W，这要求在实际应用中配合适当的散热方案，例如通过AOS中国代理获取官方推荐的热设计指南，以充分发挥其性能潜力。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及TO-220封装带来的便利散热特性，AOT414非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机控制驱动器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源中的开关和续流功能。尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有系统和成本敏感型设计中，它依然是一个经过市场验证的可靠选择。

• 型号:AOT414
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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