AOT11N70技术参数

AOT11N70是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡，内部结构经过优化，以提供稳健的雪崩耐量和开关性能，适用于要求苛刻的功率转换环境。

该器件具备700V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值达11A，结合仅870mΩ（典型条件下）的低导通电阻(Rds(on))，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压(Vgs)为±30V，而标准驱动电压为10V，栅极电荷(Qg)最大值仅为45nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，AOT11N70的阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。其输入电容(Ciss)在25V Vds条件下最大为2150pF。器件在壳温下的最大功率耗散能力高达271W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温范围内的可靠运行。标准的TO-220封装提供了优异的散热性能和便于安装的机械结构。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关服务。

基于其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力，AOT11N70非常适合于开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器、不间断电源(UPS)以及工业照明中的电子镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够作为高效的功率开关元件，提升能源转换效率并增强系统的长期可靠性。

• 制造商产品型号：AOT11N70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 11A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：870 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2150pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：271W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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