AOT424技术参数

AOT424是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。该器件在25°C壳温条件下，连续漏极电流额定值高达110A，漏源击穿电压为30V，使其成为中低电压、大电流应用的理想选择。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的开关与导通特性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，在30A电流时最大仅为4毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极电荷（Qg）最大值仅为72nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在接口与热参数方面，AOT424采用通孔安装的TO-220封装，便于在散热器上安装以实现高效的热管理。其最大功率耗散能力为100W（基于壳温），结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该器件及相关设计资源。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

基于其30V的耐压和110A的高电流能力，AOT424非常适用于需要高效功率切换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、大电流负载开关以及各类电源管理系统。其低Rds(on)特性对于降低系统整体功耗、提升能效至关重要，尤其在对效率有严格要求的工业设备和计算平台中能发挥显著作用。

• 型号:AOT424
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 110A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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