AON7702A_101技术参数

AON7702A_101是一款采用先进SRFET技术平台的N沟道功率MOSFET，设计用于在紧凑的封装内实现高效率的功率转换与控制。该器件基于优化的垂直MOSFET架构，通过精细的单元设计和沟槽工艺，在降低导通电阻与栅极电荷之间取得了出色的平衡，从而显著提升了开关性能并降低了整体功率损耗。

其核心电气特性使其在众多应用中表现出色。该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为13.5A，而在管壳温度下可达36A，展现了强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、13A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为10毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至24nC @ 10V，结合2.1V @ 250A的阈值电压，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，非常适合高频开关应用。

在接口与封装方面，该器件采用8引脚DFN（3x3mm）表面贴装封装，具有优异的热性能和紧凑的占板面积，便于高密度PCB设计。其内部集成了体二极管（肖特基二极管），为感性负载提供了续流路径。器件支持高达±12V的栅源电压，增强了驱动灵活性。其工作结温范围宽广，从-55°C到155°C，确保了在严苛环境下的可靠性。最大功率耗散在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达23W，用户可通过合适的散热设计充分发挥其性能。对于需要获取此型号技术细节或库存支持的工程师，可以联系官方AOS代理商以获取进一步信息。

基于其优异的性能组合，AON7702A_101非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC同步整流、电机驱动控制、负载开关以及各类电源管理系统，尤其是在笔记本电脑、服务器、通信设备及便携式电子产品的电源模块中。其低导通电阻和快速开关特性使其成为提升系统能效和功率密度的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7702A_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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