AOT470技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOT470采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于优化的单元设计和制造工艺，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著减少了导通损耗和开关损耗，提升了整体系统的能效表现。

在功能特性方面，AOT470具备75V的漏源击穿电压（Vdss），为设计提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、30A电流条件下典型值仅为10.5毫欧，这一低导通阻抗特性是实现低功耗运行的关键。同时，器件支持高达10A（环境温度）或100A（壳温）的连续漏极电流，并拥有高达268W（壳温）的功率耗散能力，展现出强大的电流处理与散热性能。对于需要稳定供应的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取原厂正品。

该芯片的接口与电气参数设计兼顾了易用性与鲁棒性。它采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理。栅极驱动电压（Vgs）最大值为±25V，而阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，确保了与常见控制逻辑电路的兼容性。其栅极总电荷（Qg）最大值为136nC，结合5640pF的输入电容（Ciss），意味着它能够实现快速的开关切换，适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，适应严苛的环境要求。

凭借其优异的性能组合，AOT470非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的同步整流和功率开关部分。其高电流能力和良好的热特性也使其成为电动工具、电池管理系统等中大功率便携式设备的理想选择。

• 制造商产品型号：AOT470
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：136nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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