AOT470技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOT470采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于优化的单元设计和制造工艺，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著减少了导通损耗和开关损耗，提升了整体系统的能效表现。

在功能特性方面，AOT470具备75V的漏源击穿电压（Vdss），为设计提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、30A电流条件下典型值仅为10.5毫欧，这一低导通阻抗特性是实现低功耗运行的关键。同时，器件支持高达10A（环境温度）或100A（壳温）的连续漏极电流，并拥有高达268W（壳温）的功率耗散能力，展现出强大的电流处理与散热性能。对于需要稳定供应的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取原厂正品。

该芯片的接口与电气参数设计兼顾了易用性与鲁棒性。它采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理。栅极驱动电压（Vgs）最大值为±25V，而阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，确保了与常见控制逻辑电路的兼容性。其栅极总电荷（Qg）最大值为136nC，结合5640pF的输入电容（Ciss），意味着它能够实现快速的开关切换，适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，适应严苛的环境要求。

凭借其优异的性能组合，AOT470非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的同步整流和功率开关部分。其高电流能力和良好的热特性也使其成为电动工具、电池管理系统等中大功率便携式设备的理想选择。

• 型号:AOT470
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5640 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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